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高低溫試驗(yàn)箱對(duì)于散熱試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，其散熱功率不能超過試驗(yàn)箱制冷量，因制冷量為動(dòng)態(tài)值，其隨溫度點(diǎn)變化而有所變化，同時(shí)，較高溫度也會(huì)因散熱產(chǎn)品帶來熱量須冷卻平衡時(shí)引起凝露而受到影響。
更新時(shí)間：2022-09-20
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隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的迅速發(fā)展，電工、電子等產(chǎn)品的應(yīng)用域日益廣闊，所經(jīng)受的環(huán)境條件也愈來愈復(fù)雜多樣。只有合理地規(guī)定產(chǎn)品的環(huán)境條件，正確地選擇產(chǎn)品的環(huán)境防護(hù)措施，才能保證產(chǎn)品在儲(chǔ)存運(yùn)輸中免遭損壞，在使用過程中安全可靠。因而，電工、電子產(chǎn)品進(jìn)行人工模擬環(huán)境試驗(yàn)是保證其高質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。人工模擬環(huán)境試驗(yàn)是實(shí)際環(huán)境影響的科學(xué)概括，具有典型化、規(guī)范化、使用方便、便于比較等特點(diǎn)，環(huán)境條件的多樣化和環(huán)境試驗(yàn)的重要性也對(duì)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備提出了更嚴(yán)格的要求。
高低溫試驗(yàn)箱適用于考核和確定電工電子產(chǎn)品或其他材料產(chǎn)品在溫度變化下，對(duì)產(chǎn)品（整機(jī)）、零部件材料進(jìn)行高溫、低溫定值試驗(yàn)，以及滿足本設(shè)備技術(shù)參數(shù)的溫度降溫速率，可用于散熱試驗(yàn)樣品和非散熱試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)。對(duì)于散熱試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，其散熱功率不能超過試驗(yàn)箱制冷量，因制冷量為動(dòng)態(tài)值，其隨溫度點(diǎn)變化而有所變化，同時(shí)，較高溫度也會(huì)因散熱產(chǎn)品帶來熱量須冷卻平衡時(shí)引起凝露而受到影響。
一、規(guī)格與型號(hào)
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設(shè)備名稱 |
低溫試驗(yàn)箱、高低溫試驗(yàn)機(jī)、低溫箱 |
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注 明 |
1、以下設(shè)備數(shù)據(jù)均需在環(huán)境溫度（QT）25℃.工作室無負(fù)載條件下測(cè)得； |
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型 號(hào) |
GDW-100 |
GDW-225 |
GDW-500 |
GDW-800 |
GDW-010 |
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工作室 尺寸 |
450×450 ×500 |
500×600 ×750 |
700×800 ×900 |
800×1000 ×1000 |
1000×1000 ×1000 |
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外形尺寸 |
950×900 ×1620 |
1000×1150×1870 |
1250×1350×2050 |
1450×1550×2200 |
1450×1580 ×2280 |
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功率（kw） A/B/C/D/E |
3.0/4.0/4.5/6.0 |
3.5/5.0/5.5/ 6.5 |
6.0/7.0/7.5/ 8.5 |
7.0/9.0/11.0/12.5 |
9.0/10.0/11.5/13.0 |
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性 能 指 標(biāo) |
溫度范圍 |
A: 0℃～150℃ B: -20℃～150℃ C: -40℃～150℃ D:-60℃～150℃ E: -70℃～150℃ |
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波動(dòng)/均勻度 |
±0.5℃/±2℃ |
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升溫速率 |
1～3℃/min |
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降溫速率 |
0.7～1℃/min |
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溫度運(yùn)行控制系統(tǒng) |
控制儀 |
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輸出方式 |
脈沖式固態(tài)繼電器（PID%2BSSR）輸出； |
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傳感器 |
鉑電阻 PT100Ω/MV |
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加熱系統(tǒng) |
耐高溫磁架鎳鉻合電加熱式加熱器 |
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制冷系統(tǒng) |
1、全封閉風(fēng)冷單級(jí)壓縮制冷方式 2、全封閉風(fēng)冷復(fù)迭壓縮制冷方式原裝法“泰康” |
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保護(hù)系統(tǒng) |
漏電、短路、超溫、電機(jī)過熱、壓縮機(jī)超壓、過載、過電流保護(hù) |
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定時(shí)功能 |
0.1～999.9（S、M、H）可調(diào)，停電記憶、一鍵恢復(fù)功能 |
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設(shè)備材料配置 |
外形材料 |
碳素鋼板.磷化靜電噴塑處理 |
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內(nèi)膽材料 |
SUS304不銹鋼拉絲線條板 |
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門框密封 |
雙層耐高低溫老化硅橡膠門密封條 |
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標(biāo)準(zhǔn)配置 |
不銹鋼樣品架2個(gè)、測(cè)試引線孔（Ø50、Ø80、Ø100mm）1套 |
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二、參 照 標(biāo) 準(zhǔn)
GB10589-2006 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
GB10592-2008 技術(shù)條件
GB11158-2006 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
GB/T2423.1-2001 試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.2-2001 試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法
GB/T5170.2-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備
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